Tutorial

"SiC MOSFET - sterowanie, charakteryzacja, zastosowania" środa, 22 listopada 2023, godz. 9:30-11

Technologia tranzystorów SiC MOSFET przestała być technologiczną nowinką i na stałe weszła do rozwiązań większości krajowych i zagranicznych firm produkujących urządzenia energoelektroniczne. Jednak nadal elementy te są obiektem badań naukowych w wielu ośrodkach, w tym na Politechnice Warszawskiej czy firmie Medcom, skąd wywodzą się prelegenci. Okazuje się, że nadal trwa dyskusja na temat problemów związanych z warstwą tlenku pod elektrodą bramki, a więc stabilnością parametrów w czasie i zachowaniem się tranzystorów w stanach awaryjnych. Nieoczywisty jest też model tranzystora gdy uwzględni się zagadnienie pułapek ładunku w tymże tlenku, z pewnością podważa pewne założenia słuszne dla tranzystorów krzemowych. Niełatwo jest także poprawnie zmierzyć to, co dzieje się w trakcie procesów łączeniowych. Wreszcie, pojawiają się nowe generacje przyrządów o odmiennych właściwościach.

Autorzy kursu proponują przegląd dostępnych na rynku struktur tranzystorów SiC MOSFET, w tym elementów dyskretnych i modułów mocy, oraz omówienie najczęściej stosowanych metod sterowania i zabezpieczeń (45 min). Ponadto, planowane jest omówienie technik pomiarowych, które stosuje się przy charakteryzacji szybkich przyrządów mocy, włączając w to metody pomiaru i estymacji strat mocy generowanych w elementach (45 min.). W ramach podsumowania przedstawione zostaną wybrane zastosowania tranzystorów SiC MOSFET, w tym wdrożone urządzenia w firmie Medcom, ze szczególnym wskazaniem na korzyści płynące z zastosowania nowej technologii w energoelektronice (45 min.).

Wróć do listy tutoriali